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這期內(nèi)容當(dāng)中小編將會給大家?guī)碛嘘P(guān)原理與分類是怎么樣的，文章內(nèi)容豐富且以專業(yè)的角度為大家分析和敘述，閱讀完這篇文章希望大家可以有所收獲。

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儲器類型有很多，常見的有ROM（Read-onlymemory只讀的），RAM（Random-accessmemory可讀可寫的），還有一類被大家忽略的CAM（可以自行百度）。

網(wǎng)上另一種方法把SRAM/DRAM/DDRAM歸為RAM類，ROM/EEPROM/HDD/FLASH歸到ROM類。其實(shí)，這種歸類方法大致是以掉電是否丟失信息的標(biāo)準(zhǔn)劃歸的，而不是簡單的readonly。

下文不采用上述方法分類

目前主流存儲器大部分都是RAM，在RAM中按原理還分為兩類——易失性的（Volatile）和非易失的（Non-Volatile），區(qū)別在于斷電后是否保存數(shù)據(jù)。易失性存儲器有SRAM、DRAM、SDRAM和DDR等，主要用途分別是高速緩存（cache）和內(nèi)存條。非易失性存儲器主要是包含硬盤（磁學(xué)，HardDisk Drive, HDD）、Flash、光盤（光學(xué)），用在我們的U盤，SD卡和SSD硬盤中。下文中不涉及光學(xué)的光盤和磁學(xué)的硬盤。

01、ROM

ROM 是英文Read-OnlyMemory的縮寫，翻譯成中文就是"只能讀取的記憶"，計算機(jī)術(shù)語叫"只讀存儲器"。這種存儲器里的內(nèi)容是人們在制作好它之后，用電子工藝預(yù)先寫進(jìn)去的。在這之后一般就不能修改它里面的內(nèi)容了，而只能從中讀取內(nèi)容，不過也有可擦寫的ROM，里面的數(shù)據(jù)是不會掉的。

2、非易失性RAM

2.1原理

FlashMemory的標(biāo)準(zhǔn)物理結(jié)構(gòu)稱之為位（cell），其特色為一般MOS的閘極（Gate）和通道的間隔為氧化層之絕緣（gateoxide），而FlashMemory在控制閘（Controlgate）與通道間卻多了一層物質(zhì)，稱之為浮閘（floatinggate）。拜這層浮閘之賜，使得FlashMemory可以完成三種基本操作模式，亦即讀（byte或word）、寫（byte或word）、抹除（一個或多個內(nèi)存空間），就算在不提供電源給內(nèi)存的環(huán)境下，也能透過此浮閘，保存數(shù)據(jù)的完整性。

 

NorFlash

NORFlash需要很長的時間進(jìn)行抹寫，但是它提供完整的尋址與數(shù)據(jù)總線，并允許隨機(jī)存取存儲器上的任何區(qū)域，這使的它非常適合取代老式的ROM芯片。NORFlash可以忍受一萬到一百萬次抹寫循環(huán)，它同時也是早期的可移除式快閃存儲媒體的基礎(chǔ)。

物理結(jié)構(gòu)大概介紹完畢之后，剩下就各種協(xié)會的協(xié)議了。

MMC的全稱是”MultiMediaCard”，MMC是一種通信協(xié)議，支持兩種模式SPI和MMC。MMC模式是標(biāo)準(zhǔn)的默認(rèn)模式，具有MMC的全部特性。而SPI模式則是MMC存貯卡可選的第二種模式，這個模式是MMC協(xié)議的一個子集。

下面介紹的SD卡，emmc，UFS是IC芯片，詳細(xì)點(diǎn)說，NANDFlash 是一種存儲介質(zhì)，要在上面讀寫數(shù)據(jù)，外部要加主控和電路設(shè)計，eMMC是NANDflash+主控IC，對外的接口協(xié)議與SD、TF卡類似；對廠家而言簡化了電路設(shè)計，降低了成本。

SD卡數(shù)據(jù)傳送和物理規(guī)范由MMC發(fā)展而來，大小和MMC差不多。長寬和MMC一樣，比MMC稍微厚了一點(diǎn)。兼容性方面SD卡向下兼容多媒體卡（MultiMedia Card）。所以SD卡也支持SPI接口訪問。

emmc存儲芯片簡化了存儲器的設(shè)計，將NANDFlash芯片和控制芯片以MCP技術(shù)封裝在一起，省去零組件耗用電路板的面積，同時也讓手機(jī)廠商或是計算機(jī)廠商在設(shè)計新產(chǎn)品時的便利性大大提高。eMMC則在其內(nèi)部集成了FlashController，包括了協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ECC校驗(yàn)、電源管理、時鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。相比于直接將NANDFlash接入到Host端，eMMC屏蔽了NAND Flash 的物理特性，可以減少Host 端軟件的復(fù)雜度，讓Host 端專注于上層業(yè)務(wù)，省去對NAND Flash 進(jìn)行特殊的處理。同時，eMMC通過使用Cache、MemoryArray 等技術(shù)，在讀寫性能上也比NAND Flash要好很多。另一方面，emmc的讀寫速度也比NANDFlash的讀寫速度快，emmc的讀寫可高達(dá)每秒50MB到100MB以上。

關(guān)注手機(jī)圈的同學(xué)經(jīng)常聽到UFS這個詞，下面就講述下UFS和emmc的關(guān)系。

電腦上，從HDD到SSD，從SATASSD到PCIeSSD，硬盤是越來越快；

手機(jī)上，從SD卡，到eMMC卡，再到UFS卡，存儲卡的速度也是越來越快。

3D NANDflash并不是多個芯片的堆疊，而是直接把NAND的豎起來造。這樣，在單位面積上，存在的晶體管數(shù)量就是堆疊的數(shù)量。于是，摩爾定律指望晶體管面積下將，轉(zhuǎn)為了堆疊層數(shù)的增加。目前，據(jù)說64層甚至更高層數(shù)的NANDflash已經(jīng)投入量產(chǎn)。

03、易失性RAM

易失性隨機(jī)存取半導(dǎo)體存儲器的兩種主要類型是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）。半導(dǎo)體RAM的商業(yè)用途可以追溯到1965年，當(dāng)時IBM為他們的System/ 360 Model 95計算機(jī)引入了SP95SRAM芯片，而東芝則為其ToscalBC-1411電子計算器使用了DRAM存儲單元，兩者均基于雙極晶體管。基于MOS晶體管的商用MOS存儲器是在1960年代后期開發(fā)的，此后一直是所有商用半導(dǎo)體存儲器的基礎(chǔ)。1970年10月推出了第一款商用DRAMIC芯片Intel1103。同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM）隨后于1992年與三星KM48SL2000芯片一起首次亮相。

3.1原理

存儲器單元是計算機(jī)存儲器的基本構(gòu)建塊。所述存儲器單元是一個電子電路，它存儲一個比特的二進(jìn)制信息，它必須被設(shè)置為存儲邏輯1（高電壓電平）和復(fù)位以存儲邏輯0（低電壓電平）。它的值一直保持/存儲，直到通過設(shè)置/重置過程對其進(jìn)行更改。可以通過讀取來訪問存儲單元中的值。

在SRAM中，存儲單元是一種觸發(fā)器電路，通常使用FET來實(shí)現(xiàn)。這意味著SRAM在不被訪問時需要非常低的功耗，但是它昂貴且存儲密度低。

第二種類型，DRAM，基于電容器。對該電容器進(jìn)行充電和放電可以在電池中存儲“1”或“0”。但是，該電容器中的電荷會慢慢泄漏掉，必須定期刷新。由于此刷新過程，DRAM使用更多的功率，但與SRAM相比，它可以實(shí)現(xiàn)更大的存儲密度和更低的單位成本。

上述就是小編為大家分享的原理與分類是怎么樣的了，如果剛好有類似的疑惑，不妨參照上述分析進(jìn)行理解。如果想知道更多相關(guān)知識，歡迎關(guān)注創(chuàng)新互聯(lián)行業(yè)資訊頻道。

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